IXFN50N120SIC MOSFET SIL.CARB.DIS.47A 1200V N-CH SOT227B

IXFN50N120SIC MOSFET SIL.CARB.DIS.47A 1200V N-CH SOT227B Açıklaması

IXFN50N120SIC MOSFET SIL.CARB.DIS.47A 1200V N-CH SOT227B IXYS tarafından üretilen IXFN50N120SIC, mosfet sil.carb.dis.47a 1200v n-ch sot227b için tasarlanmış yüksek performanslı bir MOSFET modülüdür. Yüksek güçlü uygulamalar için mükemmel performans ve güvenilirlik sağlar. MOSFET, 47A akım değerini ve 1,2kV voltaj değerini destekler ve 40m Ohm'luk düşük bir dirençle verimli çalışmayı sağlar. N/A'ya kadar güç dağıtımını karşılayabilir, bu da onu zorlu ortamlar için ideal kılar. Ters toparlanma süresi 26ns'dir ve hızlı geçişe olanak sağlar. -55°C~+150°C sıcaklık aralığında çalışarak çeşitli koşullarda sağlam performans sunar. Rohs uyumlu bir ürün olarak katı çevre standartlarını karşılar. Tüp formatında paketlenmiş olup, güvenli kullanım ve depolama sağlar. Gelişmiş özellikleri ve dayanıklı tasarımıyla IXFN50N120SIC, yüksek kaliteli MOSFET modül çözümleri arayan profesyoneller için mükemmel bir seçimdir.

IXFN50N120SIC MOSFET SIL.CARB.DIS.47A 1200V N-CH SOT227B Teknik Özellikleri

• Manufacturer: IXYS
• MountingType: Chassis
• Package  /Case: SOT227B (Minibloc)
• Technology: SiC Power
• FetType: N-CH
• Current(25°C): 47A
• Voltage: 1.2kV
• RdsOn: 40m Ohms
• PowerDissipation:
• Trr: 26ns
• Configuration: Single
• Applications:
• OperatingTemperature: -55°C~+150°C
• Rohs: ROHS
• Packaging: TUBE

---

Ürün datasheet'i için tıklayınız.